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SK hynixが世界初の321層NANDフラッシュメモリの量産を開始、既存の238層NANDからデータ転送速度は12%・読み取り性能は13%・電力効率は10%以上向上

韓国の半導体製造企業・SK hynixが2024年11月21日に、世界初となる321層1Tb(テラビット:125GB)TLC(Triple Level Cell)4D NANDフラッシュメモリの量産を開始したことを発表しました。続きを読む……

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